מספר מוצר של יצרן:
IPN60R360P7SATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPN60R360P7SATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
מלאי:
12799991
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPN60R360P7SATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 140µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
555 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
IPN60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPN60R360P7SATMA1DKR
SP001681928
IPN60R360P7SATMA1CT
IPN60R360P7SATMA1TR
IPN60R360P7SATMA1-DG
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSP125H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
BSZ040N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
IPA70R600P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
