מספר מוצר של יצרן:
IPA60R280P6XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA60R280P6XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
מלאי:
477 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799999
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA60R280P6XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
280mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 430µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1190 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
32W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA60R280
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPA60R280P6XKSA1
ROCINFIPA60R280P6XKSA1
SP001017076
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD50N04S408ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPP100N06S2L05AKSA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IPB65R420CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK