מספר מוצר של יצרן:
IPL65R130C7AUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPL65R130C7AUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 102W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
מלאי:
12810096
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPL65R130C7AUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
130mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 440µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1670 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
102W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-VSON-4
חבילה / מארז
4-PowerTSFN
מספר מוצר בסיסי
IPL65R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPL65R130C7AUMA1TR
IPL65R130C7AUMA1CT
SP001032724
IPL65R130C7AUMA1DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
2A (4 Weeks)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD60R3K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
BUK754R7-60E,127
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
BUK9610-55A,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
