מספר מוצר של יצרן:
BSN254,126
Product Overview
יצרן:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
BSN254,126-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 310MA TO92-3
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 310mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
מלאי:
12810110
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSN254,126 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
NXP Semiconductors
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
310mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
120 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-92-3
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
מספר מוצר בסיסי
BSN2
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSN254 AMO
934004930126
BSN254 AMO-DG
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRLR4343TRR
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
BUK7608-55,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
BUK96150-55A,118
MOSFET N-CH 55V 13A D2PAK
