מספר מוצר של יצרן:
IPI70N10S3L12AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI70N10S3L12AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
12808582
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI70N10S3L12AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
70A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 83µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5550 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI70N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000427250
IFEINFIPI70N10S3L12AKSA1
IPI70N10S3L-12
2156-IPI70N10S3L12AKSA1-IT
IPI70N10S3L-12-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPP70N10S3L12AKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
401
DiGi מספר חלק
IPP70N10S3L12AKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF6892STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 28A DIRECTFET
IRLR024ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
IRFIZ48NPBF
MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB FP
