מספר מוצר של יצרן:

IRF6892STR1PBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6892STR1PBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 25V 28A DIRECTFET

תיאור מפורט:

N-Channel 25 V 28A (Ta), 125A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ S3C

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12808615

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF6892STR1PBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

25 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

28A (Ta), 125A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

1.7mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.1V @ 50µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

25 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±16V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2510 pF @ 13 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ S3C

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric S3C

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRF6892STR1PBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

IRF6892STR1PBFDKR

SP001526954

IRF6892STR1PBFCT

IRF6892STR1PBFTR

IRF6892STR1PBF-DG

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRLR024ZTRPBF

MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

infineon-technologies

IRFIZ48NPBF

MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB FP

littelfuse

IXFT6N100F

MOSFET N-CH 1000V 6A TO268

infineon-technologies

IPS60R650CEAKMA1

CONSUMER