מספר מוצר של יצרן:
IPI60R299CPXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI60R299CPXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
12805882
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI60R299CPXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 440µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPI60R299CPXKSA1-IT
IFEINFIPI60R299CPXKSA1
IPI60R299CP-DG
IPI60R299CPXK
IPI60R299CPX
IPI60R299CP
SP000103249
IPI60R299CPAKSA1
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STI24N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1180
DiGi מספר חלק
STI24N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.07
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF2807L
MOSFET N-CH 75V 82A TO262
IPP60R160P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
IRLR2905Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
