מספר מוצר של יצרן:
STI24N60M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STI24N60M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
מלאי:
1180 יחידות חדשות מק originales במלאי
12878004
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STI24N60M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ II Plus
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1060 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262 (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
STI24
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-13775-5
-497-13775-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STF20NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP
STH145N8F7-2AG
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
STP19NM50N
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB