מספר מוצר של יצרן:
IPI120N04S402AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI120N04S402AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
500 יחידות חדשות מק originales במלאי
12818401
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI120N04S402AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 110µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
134 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10740 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
158W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPI120N04S4-02
IFEINFIPI120N04S402AKSA1
IPI120N04S4-02-DG
SP000764742
2156-IPI120N04S402AKSA1
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
IRFB4215
MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
LND150N3-G-P014
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
