מספר מוצר של יצרן:
VP2110K1-G
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
VP2110K1-G-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
תיאור מפורט:
P-Channel 100 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
מלאי:
12199 יחידות חדשות מק originales במלאי
12818423
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
VP2110K1-G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120mA (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
60 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
360mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-236AB (SOT23)
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
VP2110
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
עיצוב/מפרט PCN
מידע נוסף
שמות אחרים
VP2110K1-G-DG
VP2110K1-GCT
VP2110K1-GTR
VP2110K1-GDKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR7546PBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
IRL1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IRFB4127PBF
MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB