מספר מוצר של יצרן:
IPI028N08N3GHKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI028N08N3GHKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
12801377
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI028N08N3GHKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 270µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
206 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
14200 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI028N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPI028N08N3 G
SP000395160
IPI028N08N3 G-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPL65R210CFDAUMA1
MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
IPD075N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPB79CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
