מספר מוצר של יצרן:
IPL65R210CFDAUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPL65R210CFDAUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 16.6A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
מלאי:
12801380
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPL65R210CFDAUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
210mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 700µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1850 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
151W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-VSON-4
חבילה / מארז
4-PowerTSFN
מספר מוצר בסיסי
IPL65R210
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IFEINFIPL65R210CFDAUMA1
SP000949256
2156-IPL65R210CFDAUMA1
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
2A (4 Weeks)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD075N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPB79CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
BSZ0945NDXTMA1
TRENCH <= 40V
