מספר מוצר של יצרן:
IPD90N06S4L03ATMA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD90N06S4L03ATMA2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
5731 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800663
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD90N06S4L03ATMA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 90µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
170 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD90
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPD90N06S4L03ATMA2
SP001028764
INFINFIPD90N06S4L03ATMA2
448-IPD90N06S4L03ATMA2CT
IPD90N06S4L03ATMA2-DG
448-IPD90N06S4L03ATMA2DKR
448-IPD90N06S4L03ATMA2TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
BUZ31L
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
IPA60R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
