מספר מוצר של יצרן:
IPD90N04S402ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD90N04S402ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
מלאי:
2447 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800032
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD90N04S402ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.4mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 95µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
118 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9430 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-313
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD90
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPD90N04S402ATMA1
IPD90N04S402ATMA1DKR
SP000673890
IPD90N04S402ATMA1CT
IPD90N04S4-02-DG
INFINFIPD90N04S402ATMA1
IPD90N04S4-02
IPD90N04S402ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
AUIRFR8405TRL
יצרן
International Rectifier
כמות זמינה
2293
DiGi מספר חלק
AUIRFR8405TRL-DG
מחיר ליחידה
1.41
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD160N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
IPP065N06LGAKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
IPA80R1K2P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
