מספר מוצר של יצרן:
IPA80R1K2P7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA80R1K2P7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
מלאי:
466 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800041
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA80R1K2P7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Last Time Buy
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 80µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
300 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA80R1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001644600
IFEINFIPA80R1K2P7XKSA1
2156-IPA80R1K2P7XKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
R8003KNXC7G
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
477
DiGi מספר חלק
R8003KNXC7G-DG
מחיר ליחידה
0.99
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STF6N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
410
DiGi מספר חלק
STF6N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.55
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP10NK80ZFP
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
999
DiGi מספר חלק
STP10NK80ZFP-DG
מחיר ליחידה
1.94
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSP92P E6327
MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
IPB100N10S305ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
IPI037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
