מספר מוצר של יצרן:
IPD80R280P7ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD80R280P7ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
10179 יחידות חדשות מק originales במלאי
12805344
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD80R280P7ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 360µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1200 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
101W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD80R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD80R280P7ATMA1TR
INFINFIPD80R280P7ATMA1
IPD80R280P7ATMA1CT
IPD80R280P7ATMA1DKR
SP001422596
2156-IPD80R280P7ATMA1
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF150P221XKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
IRFH5015TRPBF
MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
IRFB7430PBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220
