מספר מוצר של יצרן:
IRFB7430PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFB7430PBF-DG
תיאור:
MOSFET N CH 40V 195A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
250 יחידות חדשות מק originales במלאי
12805348
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFB7430PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®, StrongIRFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
195A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
460 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
14240 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFB7430
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001551786
IRFB7430PBF-DG
448-IRFB7430PBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF5210STRRPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
IPP60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
IRFS17N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
