מספר מוצר של יצרן:
IPD70R900P7SAUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD70R900P7SAUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
12655 יחידות חדשות מק originales במלאי
12823339
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD70R900P7SAUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 60µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
211 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD70
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD70R900P7SAUMA1DKR
IPD70R900P7SAUMA1CT
IPD70R900P7SAUMA1TR
SP001491638
2156-IPD70R900P7SAUMA1TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF6644TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
IRL3714L
MOSFET N-CH 20V 36A TO262
IRF8788PBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
