IRF6644TRPBF

מספר מוצר של יצרן:

IRF6644TRPBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6644TRPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN

מלאי:

18711 יחידות חדשות מק originales במלאי

12823344

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF6644TRPBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

10.3A (Ta), 60A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

13mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.8V @ 150µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

47 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2210 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ MN

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric MN

מספר מוצר בסיסי

IRF6644

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRF6644TRPBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

IRF6644TRPBFDKR

IRF6644TRPBFCT

SP001563476

IRF6644TRPBFTR

חבילה סטנדרטית

4,800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRL3714L

MOSFET N-CH 20V 36A TO262

IRF8788PBF

MOSFET N-CH 30V 24A 8SO

littelfuse

IXFR36N60P

MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247

infineon-technologies

IPP100N06S3-04

MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3