מספר מוצר של יצרן:
IPD65R650CEATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD65R650CEATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 10.1A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
12805721
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD65R650CEATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 210µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
440 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
86W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD65R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001295798
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK7P65W,RQ
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
1403
DiGi מספר חלק
TK7P65W,RQ-DG
מחיר ליחידה
0.61
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTY4N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
70
DiGi מספר חלק
IXTY4N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.07
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPD65R650CEAUMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2270
DiGi מספר חלק
IPD65R650CEAUMA1-DG
מחיר ליחידה
0.33
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA90R1K0C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-FP
IRFP4232PBF
MOSFET N-CH 250V 60A TO247AC
IRFZ44NSPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK