מספר מוצר של יצרן:
TK7P65W,RQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK7P65W,RQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 6.8A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
מלאי:
1403 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890784
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK7P65W,RQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
DTMOSIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
800mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
490 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
TK7P65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK7P65WRQTR
TK7P65W,RQ(S
TK7P65WRQDKR
TK7P65WRQCT
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK6A45DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
TPC6107(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
TPC8092,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
