בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
IPD65R1K4CFDATMA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD65R1K4CFDATMA2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 2.8A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
12801587
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD65R1K4CFDATMA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ CFD2
סטטוס המוצר
Last Time Buy
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
262 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
28.4W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD65R1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
IPD65R1K4CFD
גיליונות נתונים
IPD65R1K4CFDATMA2
גיליון נתונים של HTML
IPD65R1K4CFDATMA2-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPD65R1K4CFDATMA2TR
SP001977046
IPD65R1K4CFDATMA2-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD6N62K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
196
DiGi מספר חלק
STD6N62K3-DG
מחיר ליחידה
0.76
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STD5N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2282
DiGi מספר חלק
STD5N60DM2-DG
מחיר ליחידה
0.32
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2480
DiGi מספר חלק
IPD60R1K5PFD7SAUMA1-DG
מחיר ליחידה
0.23
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STD5N62K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2481
DiGi מספר חלק
STD5N62K3-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPI075N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
IPB04N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPD50N06S214ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK