מספר מוצר של יצרן:
IPB017N08N5ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB017N08N5ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
1367 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801600
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB017N08N5ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 280µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
223 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
16900 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB017
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPB017N08N5ATMA1
IPB017N08N5ATMA1CT
IFEINFIPB017N08N5ATMA1
SP001132472
IPB017N08N5ATMA1TR
IPB017N08N5ATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPP030N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
