מספר מוצר של יצרן:
IPD60R650CEATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD60R650CEATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
12800367
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD60R650CEATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ CE
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 200µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
440 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
63W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD60R650CEATMA1DKR
IPD60R650CEATMA1TR
SP001276026
IPD60R650CEATMA1CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD11N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
98
DiGi מספר חלק
STD11N65M2-DG
מחיר ליחידה
0.64
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPD60R650CEAUMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPD60R650CEAUMA1-DG
מחיר ליחידה
0.32
סוג משאב
Direct
מספר חלק
TSM70N750CP ROG
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
6
DiGi מספר חלק
TSM70N750CP ROG-DG
מחיר ליחידה
2.19
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA60R125C6E8191XKSA1
MOSFET N-CH TO220-3
IPI100N10S305AKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
IPB025N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
