מספר מוצר של יצרן:
STD11N65M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STD11N65M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
מלאי:
98 יחידות חדשות מק originales במלאי
12874404
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STD11N65M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
MDmesh™ II Plus
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
670mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
410 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
85W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
STD11
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-15048-6
497-15048-6
497-15048-2
-497-15048-1
-497-15048-2
497-15048-1
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTY4N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
70
DiGi מספר חלק
IXTY4N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.07
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STD13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STE145N65M5
MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
STF26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
