מספר מוצר של יצרן:
IPD60R3K3C6
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD60R3K3C6-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
12804769
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD60R3K3C6 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ C6
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 40µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
93 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
18.1W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD60R
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000799130
IPD60R3K3C6DKR
IPD60R3K3C6BTMA1
IPD60R3K3C6TR
IPD60R3K3C6CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD2N62K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2192
DiGi מספר חלק
STD2N62K3-DG
מחיר ליחידה
0.54
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPD60R3K3C6ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4490
DiGi מספר חלק
IPD60R3K3C6ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.22
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
SIHD2N80E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1
DiGi מספר חלק
SIHD2N80E-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.48
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR2405TRLPBF
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IPB60R600CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A D2PAK
IRF7853PBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
