מספר מוצר של יצרן:
SIHD2N80E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHD2N80E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
1 יחידות חדשות מק originales במלאי
12786126
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHD2N80E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.75Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
315 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
62.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SIHD2
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHD2N80E-GE3CT
SIHD2N80E-GE3TRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3DKR
SIHD2N80E-GE3CT-DG
SIHD2N80E-GE3DKR-DG
SIHD2N80E-GE3TR-DG
SIHD2N80E-GE3DKRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD2N62K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2192
DiGi מספר חלק
STD2N62K3-DG
מחיר ליחידה
0.54
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SPD02N80C3ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
8940
DiGi מספר חלק
SPD02N80C3ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.43
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHD7N60ET4-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
SIS444DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
SUM110N06-3M9H-E3
MOSFET N-CH 60V 110A TO263
