מספר מוצר של יצרן:
IPD50R280CEBTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD50R280CEBTMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
12799697
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD50R280CEBTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ CE
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 350µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
773 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
92W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD50R
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD50R280CEINDKR
IPD50R280CEINCT-DG
IPD50R280CEIN
IPD50R280CEINCT
IPD50R280CEBTMA1CT
IPD50R280CEINTR-DG
-IPD50R280CE
IPD50R280CEBTMA1DKR
IPD50R280CEINDKR-DG
IPD50R280CEBTMA1TR
IPD50R280CEIN-DG
IPD50R280CE
SP000992082
IPD50R280CEINTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD33CN10NGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
30085
DiGi מספר חלק
IPD33CN10NGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.45
סוג משאב
Direct
מספר חלק
STD18N55M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
3540
DiGi מספר חלק
STD18N55M5-DG
מחיר ליחידה
1.31
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
IPC302N15N3X7SA1
MV POWER MOS
IPA65R600E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP