מספר מוצר של יצרן:
IPA65R600E6XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA65R600E6XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
מלאי:
12799707
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA65R600E6XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 210µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
440 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
28W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA65R600
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPA65R600E6XKSA1-DG
SP000799140
IPA65R600E6-DG
448-IPA65R600E6XKSA1
2156-IPA65R600E6XKSA1
IPA65R600E6
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP14NK60ZFP
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STP14NK60ZFP-DG
מחיר ליחידה
2.05
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STF15N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
481
DiGi מספר חלק
STF15N65M5-DG
מחיר ליחידה
0.98
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCPF600N60Z
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
171833
DiGi מספר חלק
FCPF600N60Z-DG
מחיר ליחידה
1.20
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSC032N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
IPB260N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
IPA126N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP