מספר מוצר של יצרן:
IPD038N06N3GATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD038N06N3GATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
2492 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804489
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD038N06N3GATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 90µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
98 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8000 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
188W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD038
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD038N06N3GATMA1CT
2156-IPD038N06N3GATMA1
SP000397994
IFEINFIPD038N06N3GATMA1
IPD038N06N3GATMA1TR
IPD038N06N3GATMA1DKR
IPD038N06N3 G
IPD038N06N3 G-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7820PBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
IPP70N10S312AKSA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
IPB60R040C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
