IRF7820PBF
מספר מוצר של יצרן:

IRF7820PBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF7820PBF-DG

תיאור:

MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 3.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

מלאי:

12804491
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRF7820PBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
78mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1750 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SP001570478
חבילה סטנדרטית
95

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPP70N10S312AKSA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3

infineon-technologies

IPB60R040C7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3

infineon-technologies

IRFZ46NSTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK

infineon-technologies

IPB77N06S212ATMA1

MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3