מספר מוצר של יצרן:
IPC26N12NX1SA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPC26N12NX1SA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
תיאור מפורט:
N-Channel 120 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
מלאי:
12804936
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPC26N12NX1SA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Bulk
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
120 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1A (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 244µA
VGS (מקס')
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
Sawn on foil
חבילה / מארז
Die
מספר מוצר בסיסי
IPC26N
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPC26N12NX1SA1
SP000296743
IPC26N12NX1SA1-DG
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF9520NSTRR
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
IRF6711STRPBF
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
IRFR3708TR
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK