IRF6711STRPBF

מספר מוצר של יצרן:

IRF6711STRPBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6711STRPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET

תיאור מפורט:

N-Channel 25 V 19A (Ta), 84A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12804938

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF6711STRPBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

25 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

19A (Ta), 84A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

3.8mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.35V @ 25µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

20 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1810 pF @ 13 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ SQ

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric SQ

מספר מוצר בסיסי

IRF6711

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IRF6711S(TR)PbF

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRF6711STRPBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SP001529154

חבילה סטנדרטית

4,800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRFR3708TR

MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

IRF7463

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

infineon-technologies

IRFZ48VSTRLPBF

MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK

infineon-technologies

IRF3703PBF

MOSFET N-CH 30V 210A TO220AB