מספר מוצר של יצרן:
IPC020N10L3X1SA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPC020N10L3X1SA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
מלאי:
12803547
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPC020N10L3X1SA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Bulk
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1A (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.1V @ 12µA
VGS (מקס')
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
Sawn on foil
חבילה / מארז
Die
מספר מוצר בסיסי
IPC020N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPC020N10L3X1SA1
IPC020N10L3X1SA1-DG
2156-IPC020N10L3X1SA1
SP001006962
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPL65R460CFDAUMA1
MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK
IRF8010PBF
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
IRF6215L-103
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
