IRF6215L-103
מספר מוצר של יצרן:

IRF6215L-103

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6215L-103-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 150V 13A TO262
תיאור מפורט:
P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262

מלאי:

12803551
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRF6215L-103 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
290mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
66 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
860 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPT007N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF

infineon-technologies

IRFR7446TRPBF

MOSFET N-CH 40V 56A DPAK

infineon-technologies

IRFS7730TRL7PP

MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK

infineon-technologies

IPAN70R900P7SXKSA1

MOSFET N-CH 700V 6A TO220