מספר מוצר של יצרן:
IPB80N06S2L09ATMA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB80N06S2L09ATMA2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
מלאי:
12800834
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB80N06S2L09ATMA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.2mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 125µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
105 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2620 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
190W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB80N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB80N06S2L09ATMA2-DG
448-IPB80N06S2L09ATMA2TR
SP001061720
2156-IPB80N06S2L09ATMA2TR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPP100N06S2L05AKSA2
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
498
DiGi מספר חלק
IPP100N06S2L05AKSA2-DG
מחיר ליחידה
1.72
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTA90N075T2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTA90N075T2-DG
מחיר ליחידה
1.44
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTA90N055T2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTA90N055T2-DG
מחיר ליחידה
1.73
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB64N25S320ATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
IPFH6N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPC60R160C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
