IPB65R065C7ATMA2
מספר מוצר של יצרן:

IPB65R065C7ATMA2

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPB65R065C7ATMA2-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

מלאי:

5227 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801353
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPB65R065C7ATMA2 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
33A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 200µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
64 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3020 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
171W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB65R065

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SP002447554
IPB65R065C7ATMA2CT
IPB65R065C7ATMA2DKR
IPB65R065C7ATMA2TR
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPA60R180C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP

infineon-technologies

IPB60R099CPATMA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

infineon-technologies

IPL65R660E6AUMA1

MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK

infineon-technologies

IPB107N20NAATMA1

MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK