מספר מוצר של יצרן:
IPA60R180C7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA60R180C7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
מלאי:
299 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801356
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA60R180C7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 260µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1080 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
29W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220 Full Pack
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001296216
2156-IPA60R180C7XKSA1-448
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB60R099CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
IPL65R660E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK
IPB107N20NAATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
