מספר מוצר של יצרן:
IPB60R330P6ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB60R330P6ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 93W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
12805083
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB60R330P6ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ P6
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
330mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 370µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1010 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
93W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001364470
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB15N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
963
DiGi מספר חלק
STB15N80K5-DG
מחיר ליחידה
2.44
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPB60R360P7ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
5559
DiGi מספר חלק
IPB60R360P7ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.66
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFHM3911TRPBF
MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
IRFBA90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
IRFS3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK