מספר מוצר של יצרן:
IPB60R360P7ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB60R360P7ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 9A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
5559 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803196
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB60R360P7ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 140µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
555 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
41W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB60R360
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001664948
IPB60R360P7ATMA1TR
INFINFIPB60R360P7ATMA1
IPB60R360P7ATMA1CT
IPB60R360P7ATMA1DKR
2156-IPB60R360P7ATMA1
IPB60R360P7ATMA1-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF3007PBF
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
IRF6645
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
IRF9Z24NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
