IPB60R180C7ATMA1
מספר מוצר של יצרן:

IPB60R180C7ATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPB60R180C7ATMA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

מלאי:

12800910
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPB60R180C7ATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
130mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 260µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1080 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
68W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
מספר מוצר בסיסי
IPB60R180

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
IPB60R180C7ATMA1DKR
2156-IPB60R180C7ATMA1
ROCINFIPB60R180C7ATMA1
IPB60R180C7ATMA1CT
IPB60R180C7ATMA1TR
IPB60R180C7ATMA1-DG
SP001296224
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPD09N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

infineon-technologies

IPB60R099CPAATMA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

infineon-technologies

IPDD60R190G7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10

infineon-technologies

IPB06N03LB G

MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK