מספר מוצר של יצרן:
IPB60R180C7ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB60R180C7ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
12800910
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB60R180C7ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
130mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 260µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1080 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
68W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
מספר מוצר בסיסי
IPB60R180
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB60R180C7ATMA1DKR
2156-IPB60R180C7ATMA1
ROCINFIPB60R180C7ATMA1
IPB60R180C7ATMA1CT
IPB60R180C7ATMA1TR
IPB60R180C7ATMA1-DG
SP001296224
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPB60R099CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
IPDD60R190G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10