מספר מוצר של יצרן:
IPB60R099CPAATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB60R099CPAATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
מלאי:
700 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800914
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB60R099CPAATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ CP
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
31A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
105mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1.2mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2800 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
255W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB60R099
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPB60R099CPAATMA1DKR
IPB60R099CPAATMA1TR
IPB60R099CPAATMA1TR-DG
448-IPB60R099CPAATMA1TR
SP000315443
IPB60R099CPA
448-IPB60R099CPAATMA1CT
IPB60R099CPA-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB40N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
775
DiGi מספר חלק
STB40N60M2-DG
מחיר ליחידה
2.83
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCB110N65F
יצרן
onsemi
כמות זמינה
4800
DiGi מספר חלק
FCB110N65F-DG
מחיר ליחידה
3.05
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPDD60R190G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
IPB06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPI50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3
