מספר מוצר של יצרן:
IPB530N15N3GATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB530N15N3GATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
12799745
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB530N15N3GATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
53mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 35µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
887 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
68W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB530
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB530N15N3G
IPB530N15N3 GCT
IPB530N15N3 GDKR
IPB530N15N3 GTR-DG
IPB530N15N3 GCT-DG
SP000521718
IPB530N15N3GATMA1DKR
IPB530N15N3GATMA1CT
IPB530N15N3 GDKR-DG
IPB530N15N3GATMA1TR
INFINFIPB530N15N3GATMA1
IPB530N15N3 G-DG
2156-IPB530N15N3GATMA1
IPB530N15N3 G
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDB2572
יצרן
onsemi
כמות זמינה
593
DiGi מספר חלק
FDB2572-DG
מחיר ליחידה
0.84
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFS4615TRLPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4656
DiGi מספר חלק
IRFS4615TRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSC019N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
IPA65R310CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
IPB60R099C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
