מספר מוצר של יצרן:
BSZ520N15NS3GATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSZ520N15NS3GATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
מלאי:
15785 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799752
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSZ520N15NS3GATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
52mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 35µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
890 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSDSON-8
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSZ520
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSZ520N15NS3 GDKR
BSZ520N15NS3GATMA1DKR
BSZ520N15NS3 GTR
BSZ520N15NS3 GTR-DG
BSZ520N15NS3G
BSZ520N15NS3 G-DG
BSZ520N15NS3 GCT-DG
BSZ520N15NS3 GDKR-DG
BSZ520N15NS3GATMA1CT
BSZ520N15NS3GATMA1TR
SP000607022
BSZ520N15NS3 GCT
BSZ520N15NS3 G
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPC90N04S5L3R3ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
BSS127L6327HTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSC016N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
