מספר מוצר של יצרן:
IPB45P03P4L11ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB45P03P4L11ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 45A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
מלאי:
12799738
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB45P03P4L11ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
45A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 85µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
55 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+5V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3770 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
58W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB45P03
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000396276
2156-IPB45P03P4L11ATMA1
INFINFIPB45P03P4L11ATMA1
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB60R160P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
BTS282ZE3180AATMA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
IPB530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
