מספר מוצר של יצרן:
IPB081N06L3GATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB081N06L3GATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
5151 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803619
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB081N06L3GATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 34µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4900 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
79W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB081
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB081N06L3 GDKR-DG
IPB081N06L3GATMA1DKR
IPB081N06L3 GDKR
IPB081N06L3G
SP000398076
IPB081N06L3GATMA1CT
IPB081N06L3 GCT-DG
IPB081N06L3 GTR-DG
IPB081N06L3GATMA1TR
IPB081N06L3 G-DG
IPB081N06L3 GCT
IPB081N06L3 G
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF1503STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
IPP77N06S212AKSA1
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
IPD60R450E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
