מספר מוצר של יצרן:
IPB054N08N3GATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB054N08N3GATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
2888 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800290
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB054N08N3GATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 90µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
69 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4750 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB054
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB054N08N3 GCT-DG
IPB054N08N3GATMA1CT
SP000395166
IPB054N08N3 GDKR
IPB054N08N3GATMA1TR
IPB054N08N3GATMA1DKR
IPB054N08N3 GTR-DG
IPB054N08N3 G
IPB054N08N3 GDKR-DG
IPB054N08N3 G-DG
IPB054N08N3 GCT
IPB054N08N3G
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
IPD13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7