מספר מוצר של יצרן:
IMW120R060M1HXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IMW120R060M1HXKSA1-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
מלאי:
695 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800291
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IMW120R060M1HXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolSiC™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
36A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
78mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.7V @ 5.6mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
31 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+23V, -7V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1060 pF @ 800 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-41
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IMW120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IMW120R060M1HXKSA1-DG
SP001808368
448-IMW120R060M1HXKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPD60R1K4C6
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
