מספר מוצר של יצרן:
IPA65R400CEXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA65R400CEXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 15.1A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
מלאי:
235 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801088
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA65R400CEXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 320µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
710 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
31W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA65R400
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPA65R400CEXKSA1
IPA65R400CEXKSA1-DG
SP001429766
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD70R1K4P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
IPD16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
IPD135N03LGBTMA1
LV POWER MOS
