מספר מוצר של יצרן:
BSP716NH6327XTSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSP716NH6327XTSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
תיאור מפורט:
N-Channel 75 V 2.3A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
מלאי:
12801097
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSP716NH6327XTSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
75 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
160mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.8V @ 218µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13.1 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
315 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
BSP716
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
ROCINFBSP716NH6327XTSA1
SP001087514
BSP716NH6327XTSA1-DG
BSP716NH6327XTSA1TR
BSP716NH6327XTSA1CT
2156-BSP716NH6327XTSA1
BSP716NH6327XTSA1DKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDT86106LZ
יצרן
onsemi
כמות זמינה
22653
DiGi מספר חלק
FDT86106LZ-DG
מחיר ליחידה
0.48
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD65R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
IPB120N06S402ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
IPD10N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
